MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 150 V, ID 70.2 A, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
225-9929
Nº ref. fabric.:
SiR578DP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

70.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Serie

N-Channel 150 V

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

10mΩ

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

54nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.1V

Disipación de potencia máxima Pd

92.5W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.12 mm

Altura

5.26mm

Longitud

6.25mm

Estándar de automoción

No

El Vishay Siliconix mantiene los datos de fiabilidad para la tecnología de semiconductores y la fiabilidad del encapsulado representa un compuesto de todas las ubicaciones cualificadas.

MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV

Figura de mérito (FOM) RDS x QG muy baja

Ajustado para el FOM RDS x QOSS más bajo

100 % Rg y UIS probados

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