MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 100 V, ID 18.7 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
228-2820
Nº ref. fabric.:
Si4090BDY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

18.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

10mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

46.5nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

7.4W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.75mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de canal N TrenchFET de Vishay se utiliza para interruptor de lado primario dc/dc, telecomunicaciones/servidor, control de accionamiento de motor y rectificación síncrona.

100 % Rg y UIS probados

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