MOSFET, N-Canal Vishay SQS414CENW-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 18 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
Código RS:
228-2962
Nº ref. fabric.:
SQS414CENW-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

18A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

PowerPAK 1212

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

23mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

780mV

Disipación de potencia máxima Pd

33W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8.9nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

El canal N de automoción Vishay TrenchFET es un MOSFET de alimentación de 60 V.

100 % Rg y UIS probados

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.