MOSFET Infineon, Tipo N-Canal, VDSS 40 V, ID 70 A, PQFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

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Código RS:
229-1739
Nº ref. fabric.:
AUIRFN8459TR
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

70A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

PQFN

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.9mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

40nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

50W

Tensión directa Vf

1.3V

Configuración de transistor

Doble

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

5.85 mm

Longitud

5mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.2mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de potencia HEXFET de canal N doble Infineon en un encapsulado PQFN de 5 mm x 6 mm L permite avalancha repetitiva hasta Tjmax. Tiene una velocidad de conmutación rápida y no tiene plomo.

Cumple con RoHS

Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.

Tiene una resistencia de conexión ultrabaja

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