MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IGLD60R190D1AUMA3, VDSS 600 V, ID 10 A, Mejora, LSON de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
232-0419
Nº ref. fabric.:
IGLD60R190D1AUMA3
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

10A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

CoolGaN

Encapsulado

LSON

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

190mΩ

Modo de canal

Mejora

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El transistor de potencia de modo de mejora Infineon 600V ofrece una velocidad de encendido y apagado rápida, pérdidas de conmutación mínimas y permite topologías de medio puente sencillas con la máxima eficiencia. La serie CoolGaN 600V de nitruro de galio está calificada conforme a una cualificación completa adaptada a GaN muy por encima de los estándares existentes. Mejora la eficiencia del sistema, mejora la densidad de potencia y permite una mayor frecuencia de funcionamiento.

Conmutación ultrarrápida

Sin cargo por recuperación inversa

Capaz de conducción inversa

Carga de puerta baja, carga de salida baja

Resistencia de conmutación superior

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