MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPTG014N10NM5ATMA1, VDSS 100 V, ID 366 A, Mejora, HSOG de 8 pines
- Código RS:
- 233-4387
- Nº ref. fabric.:
- IPTG014N10NM5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 4,27 € | 8,54 € |
| 10 - 18 | 3,76 € | 7,52 € |
| 20 - 48 | 3,505 € | 7,01 € |
| 50 - 98 | 3,245 € | 6,49 € |
| 100 + | 3,035 € | 6,07 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 233-4387
- Nº ref. fabric.:
- IPTG014N10NM5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 366A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | HSOG | |
| Serie | IPTG | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 169nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 375W | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 2.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.1mm | |
| Anchura | 8.75 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 366A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado HSOG | ||
Serie IPTG | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 169nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 375W | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 2.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.1mm | ||
Anchura 8.75 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia Infineon OptiMOS IPTG014N10NM5 se suministra en el encapsulado TO-POMED mejorado con cables de ala de gaviota. Con un tamaño compatible sin cable, TOLG permite un excelente rendimiento eléctrico en comparación con D2PAK 7 contactos con una reducción de espacio de placa de ∼60 %. Este nuevo encapsulado en OptiMOS 5 - 100 V ofrece una RDS(on) muy baja y está optimizado para soportar una corriente alta de 300 A. La flexibilidad de los cables de ala de gaviota OptiMOS en encapsulado TOLG muestra una excelente fiabilidad de unión de soldadura en la placa Al-IMS.
Alta eficiencia y EMI inferior
Capacidad de alto rendimiento
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