MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPD18DP10LMATMA1, VDSS 100 V, ID 13.9 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 235-4855
- Nº ref. fabric.:
- IPD18DP10LMATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,644 € | 8,22 € |
| 50 - 120 | 1,464 € | 7,32 € |
| 125 - 245 | 1,38 € | 6,90 € |
| 250 - 495 | 1,282 € | 6,41 € |
| 500 + | 1,184 € | 5,92 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 235-4855
- Nº ref. fabric.:
- IPD18DP10LMATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 13.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 178mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 83W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | -42nC | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 2.41mm | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 13.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 178mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 83W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs -42nC | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 2.41mm | ||
Longitud 6.73mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Los MOSFET de canal P Infineon OptiMOS™ 100V en encapsulado DPAK representan la nueva tecnología diseñada para aplicaciones de gestión de batería, conmutación de carga y protección contra polaridad inversa. La principal ventaja de un dispositivo de canal P es la reducción de la complejidad del diseño en aplicaciones de media y baja potencia. Su interfaz sencilla con MCU, conmutación rápida y resistencia a avalancha lo convierten en adecuado para aplicaciones exigentes de alta calidad. Está disponible en el nivel normal con un amplio rango RDS(ON) y mejora la eficiencia con cargas bajas gracias al bajo QG. Se utiliza en gestión de baterías y automatización industrial.
Disponible en 4 encapsulados diferentes
Amplia gama
Nivel normal y disponibilidad de nivel lógico
Ideal para frecuencia de conmutación alta y baja
Interfaz sencilla con MCU
Poca complejidad de diseño
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