Transistor MOSFET Infineon IPD18DP10LMATMA1, VDSS 100 V, ID 13,9 A., DPAK (TO-252) de 3 pines

Los MOSFET de canal P Infineon OptiMOS™ 100V en encapsulado DPAK representan la nueva tecnología diseñada para aplicaciones de gestión de batería, conmutación de carga y protección contra polaridad inversa. La principal ventaja de un dispositivo de canal P es la reducción de la complejidad del diseño en aplicaciones de media y baja potencia. Su interfaz sencilla con MCU, conmutación rápida y resistencia a avalancha lo convierten en adecuado para aplicaciones exigentes de alta calidad. Está disponible en el nivel normal con un amplio rango RDS(ON) y mejora la eficiencia con cargas bajas gracias al bajo QG. Se utiliza en gestión de baterías y automatización industrial.

Disponible en 4 encapsulados diferentes
Amplia gama
Nivel normal y disponibilidad de nivel lógico
Ideal para frecuencia de conmutación alta y baja
Interfaz sencilla con MCU
Poca complejidad de diseño