MOSFET, N-Canal Infineon IPT008N06NM5LFATMA1, VDSS 60 V, ID 454 A, HSOF-8 de 8 pines

Código RS:: 236-1584
Nº ref. fabric.:: IPT008N06NM5LFATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, N-Canal Infineon IPT008N06NM5LFATMA1, VDSS 60 V, ID 454 A, HSOF-8 de 8 pines

Subtotal (1 bobina de 2000 unidades)*

6.528,00 €

(exc. IVA)

7.898,00 €

(inc.IVA)

Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €

Agotado temporalmente

Envío desde el 20 de noviembre de 2026

¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)	Por unidad	Por Bobina*
2000 +	3,264 €	6.528,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 236-1584
Nº ref. fabric.:: IPT008N06NM5LFATMA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	454A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	60V
	Encapsulado	HSOF-8
	Serie	IPT
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.8mΩ
	Disipación de potencia máxima Pd	278W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	185nC
	Tensión directa Vf	1V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Longitud	10.1mm
	Altura	2.4mm
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	10.58mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 454A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V
	Encapsulado HSOF-8
	Serie IPT
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.8mΩ
	Disipación de potencia máxima Pd 278W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 185nC
	Tensión directa Vf 1V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Longitud 10.1mm
	Altura 2.4mm
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 10.58mm
	Estándar de automoción No

Datasheet - IPT008N06NM5LFATMA1

MOSFET de la serie IPT de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 60 V, corriente de drenaje continua máxima de 454 A - IPT008N06NM5LFATMA1

Este MOSFET es un transistor de conmutación de alta corriente diseñado para aplicaciones de potencia de montaje en superficie, que ofrece una tolerancia térmica robusta y una capacidad de corriente considerable para circuitos exigentes. Funciona en un amplio rango ambiente y es adecuado para sistemas que requieren una baja pérdida de conducción y un manejo de potencia significativo en un encapsulado compacto.

Características y ventajas:

• La tensión de drenaje máxima de 60 V proporciona capacidad de conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 454 A admite cargas de corriente pesada
• La RDS(on) máxima de 0,8 mΩ reduce las pérdidas por conducción en las vías de potencia
• La disipación de potencia máxima de 278 W permite un funcionamiento de alta potencia sostenido
• La carga de puerta típica de 185 nC permite un control de conmutación predecible
• La potencia nominal de puerta-fuente de ±20 V permite amplios márgenes de accionamiento de puerta

Aplicaciones

• Apto para etapas de accionamiento de motor de alta corriente
• Se puede utilizar para interruptores de salida de convertidor dc-dc
• Ideal para la distribución de energía en fuentes de alimentación de servidor
• Se utiliza con módulos de gestión de baterías que manejan grandes corrientes
• Apto para etapas de conmutación de inversores industriales

¿Qué resistencia térmica se puede esperar en entornos hostiles?

Está diseñado para funcionar a temperaturas de −55 °C a 150 °C, lo que permite su uso en condiciones de gran temperatura.

¿Cómo influye el encapsulado en el montaje y el diseño?

El encapsulado de montaje en superficie HSOF-8 facilita la colocación compacta de la placa de circuito impreso y las conexiones de baja inductancia para trazas de potencia.

¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta son necesarias para la conmutación?

Diseñar los controladores de puerta para proporcionar una carga suficiente para la puerta de 185 nC para lograr las velocidades de conmutación necesarias al tiempo que se respeta el límite de fuente de puerta de ±20 V.

¿Cómo deben gestionar los diseñadores la disipación de potencia en escenarios de alta carga?

Asegúrese de que el área de cobre de la PCB y las vias térmicas estén dimensionadas para soportar la disipación de 278 W y mantener las temperaturas de unión dentro de los límites.

¿Qué rendimiento de conducción se puede esperar durante el funcionamiento continuo?

Espera una baja caída de tensión en estado activo gracias a la resistencia máxima de drenaje-fuente de 0,8 mΩ, lo que beneficia a la eficiencia en condiciones de alta corriente continua.