MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT008N06NM5LFATMA1, VDSS 60 V, ID 454 A, HSOF-8 de 8 pines

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Código RS:
236-1584
Nº ref. fabric.:
IPT008N06NM5LFATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

454A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

IPT

Encapsulado

HSOF-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.8mΩ

Disipación de potencia máxima Pd

278W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

185nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

10.58 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

2.4mm

Longitud

10.1mm

Estándar de automoción

No

MOSFET lineal de 60 V Infineon OptiMOS 5. Este producto está totalmente calificado según JEDEC para aplicaciones industriales .

Ideal para aplicaciones de intercambio en caliente y fusibles electrónicos

Resistencia de conexión RDS(on) muy baja

SOA de área de funcionamiento segura amplia

Canal N, nivel normal

100 % a prueba de avalancha

Chapado sin plomo, sin halógenos

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