MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IAUT300N08S5N014ATMA1, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, TO-263 de 8 pines

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Código RS:
244-0893
Nº ref. fabric.:
IAUT300N08S5N014ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

120A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

IAUT

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET IAUT300N08S5N014ATMA1 de Infineon está diseñado específicamente para aplicaciones de automoción. Este diseño celular planar de MOSFET de potencia HEXFET® incorpora las últimas técnicas de procesamiento para lograr una baja resistencia de conexión por área de silicio.

Canal N - Modo de mejora

Calificación AEC

MSL1 hasta 260 °C de pico de reflujo

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

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