MOSFET Infineon IMW120R090M1HXKSA1, VDSS 1.200 V, ID 26 A, TO-247 de 3 pines

El MOSFET Infineon IMW120R090M1HXKSA1 en un encapsulado TO247-3 integrado en un proceso de semiconductor Trench de última generación optimizado para combinar rendimiento y fiabilidad. En comparación con los interruptores basados en silicio (Si) tradicionales como IGBT y MOSFET, el MOSFET de SiC ofrece una serie de ventajas. Estos incluyen los niveles más bajos de carga de puerta y capacitancia de dispositivo vistos en interruptores de 1200 V, sin pérdidas de recuperación inversa del diodo de cuerpo a prueba de conmutación interno, pérdidas de conmutación bajas independientes de temperatura y característica de estado de conexión sin umbral.

Pérdidas de conmutación muy bajas
Característica de estado ON sin umbral
Amplio rango de tensión de fuente de puerta
Tensión de umbral de puerta de referencia, VGS(th) = 4,5V V.
Tensión de puerta de desconexión de 0V V para accionamiento de puerta sencillo
Dv/dt completamente controlable
Diodo de cuerpo robusto para conmutación difícil
Pérdidas de conmutación de desconexión independiente de temperatura