MOSFET, N-Canal Vishay SIA108DJ-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 6.6 A, PowerPAK de 6 pines
- Código RS:
- 256-7400
- Nº ref. fabric.:
- SIA108DJ-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 256-7400
- Nº ref. fabric.:
- SIA108DJ-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.024Ω | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 19W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 800μm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.024Ω | ||
Disipación de potencia máxima Pd 19W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 800μm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El mosfet de canal N de 80 V (D-S) de Vishay Semiconductor su aplicación son interruptores laterales primarios, dc, convertidor dc, interruptor de accionamiento de motor, convertidor de impulso, retroiluminación de LED.
MOSFET de potencia TrenchFET gen IV
Sintonizado para el RDS x Qoss más bajo
Probado 100% Rg y UIS