MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQM120N04-1M7L_GE3, VDSS 40 V, ID 120 A, TO-263

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Código RS:
256-7445
Nº ref. fabric.:
SQM120N04-1M7L_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

120A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0149Ω

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El mosfet de canal N de automoción de 40 V (D-S) de 175 °C de 120 A (Tc) de 375 W (Tc) de Vishay Semiconductor tiene montaje en superficie con tipo de encapsulado TO-263.

MOSFET de potencia TrenchFET

Encapsulado con baja resistencia térmica

Probado al 100 % Rg y UIS

Calificación AEC-Q101d

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