MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFH7084TRPBF, VDSS 40 V, ID 265 A, PQFN
- Código RS:
- 257-5804
- Nº ref. fabric.:
- IRFH7084TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 0,824 € | 4,12 € |
| 25 - 45 | 0,802 € | 4,01 € |
| 50 - 120 | 0,78 € | 3,90 € |
| 125 - 245 | 0,76 € | 3,80 € |
| 250 + | 0,742 € | 3,71 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 257-5804
- Nº ref. fabric.:
- IRFH7084TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 265A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.25mΩ | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 156W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 127nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 6mm | |
| Altura | 1.05mm | |
| Anchura | 5 mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 265A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado PQFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.25mΩ | ||
Disipación de potencia máxima Pd 156W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 127nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 6mm | ||
Altura 1.05mm | ||
Anchura 5 mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
La familia de MOSFET de potencia strongIRFET de Infineon está optimizada para RDS bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.
Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
Silicio optimizado para aplicaciones conmutadas a continuación <100 kHz
Diodo de cuerpo más suave en comparación con la generación anterior de silicio
Amplio catálogo disponible