MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 21 A, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
257-9323
Nº ref. fabric.:
IRF7862TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

21A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

SO-8

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.5mΩ

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

30nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

2.5W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

La serie IRF de Infineon es el mosfet de potencia HEXFET de canal n simple de 30 V en un encapsulado SO 8.

Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución

Calificación del producto conforme al estándar JEDEC

Optimizado para tensión de accionamiento de puerta de 5 V (llamado nivel lógico)

Encapsulado de montaje en superficie estándar del sector

Capacidad de soldadura por ola

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