Nº ref. fabric.

MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 25 V, ID 310 A, Mejora, TSDSO de 24 pines

Código RS:: 260-1072
Nº ref. fabric.:: IQE006NE2LM5CGSCATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 25 V, ID 310 A, Mejora, TSDSO de 24 pines

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Código RS:: 260-1072
Nº ref. fabric.:: IQE006NE2LM5CGSCATMA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	310A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	25V
	Serie	IQE
	Encapsulado	TSDSO
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	24
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.75mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	1V
	Temperatura de funcionamiento máxima	+150°C
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 310A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 25V
	Serie IQE
	Encapsulado TSDSO
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 24
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.75mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf 1V
	Temperatura de funcionamiento máxima +150°C
	Certificaciones y estándares RoHS
	Estándar de automoción No

Datasheet - IQE006NE2LM5CGSCATMA1

Los MOSFET de Infineon permiten conectar el potencial de fuente a la PCB a través de la almohadilla térmica, lo que ofrece varias ventajas, como mayor capacidad térmica, densidad de potencia avanzada o posibilidades de diseño mejoradas. También tiene los requisitos de refrigeración activa reducidos y el diseño eficaz para la gestión térmica, que son ventajas a nivel del sistema.

Permite la densidad de potencia y el rendimiento más altos

Rendimiento térmico superior

Posibilidades de diseño optimizadas

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