MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 25 V, ID 310 A, Mejora, WHSON de 8 pines
- Código RS:
- 260-1074
- Nº ref. fabric.:
- IQE006NE2LM5SCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 260-1074
- Nº ref. fabric.:
- IQE006NE2LM5SCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 310A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 25V | |
| Encapsulado | WHSON | |
| Serie | IQE | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 310A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 25V | ||
Encapsulado WHSON | ||
Serie IQE | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Los MOSFET de Infineon permiten conectar el potencial de fuente a la PCB a través de la almohadilla térmica, lo que ofrece varias ventajas, como mayor capacidad térmica, densidad de potencia avanzada o posibilidades de diseño mejoradas. También tiene los requisitos de refrigeración activa reducidos y el diseño eficaz para la gestión térmica, que son ventajas a nivel del sistema.
Pérdidas de PCB mejoradas
Permite la densidad de potencia y el rendimiento más altos
Rendimiento térmico superior
Posibilidades de diseño optimizadas
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