MOSFET, N-Canal Infineon IQE013N04LM6SCATMA1, VDSS 40 V, ID 205 A, Mejora, WHSON de 8 pines
- Código RS:
- 260-1079
- Nº ref. fabric.:
- IQE013N04LM6SCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 2 unidades)*
7,16 €
(exc. IVA)
8,66 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 5748 unidad(es) más para enviar a partir del 12 de octubre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 3,58 € | 7,16 € |
| 20 - 48 | 3,22 € | 6,44 € |
| 50 - 98 | 3,005 € | 6,01 € |
| 100 - 198 | 2,795 € | 5,59 € |
| 200 + | 2,615 € | 5,23 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 260-1079
- Nº ref. fabric.:
- IQE013N04LM6SCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 205A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | IQE | |
| Encapsulado | WHSON | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 205A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie IQE | ||
Encapsulado WHSON | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Los MOSFET de Infineon permiten conectar el potencial de fuente a la PCB a través de la almohadilla térmica, lo que ofrece varias ventajas, como mayor capacidad térmica, densidad de potencia avanzada o posibilidades de diseño mejoradas. También tiene los requisitos de refrigeración activa reducidos y el diseño eficaz para la gestión térmica, que son ventajas a nivel del sistema.
Pérdidas de PCB mejoradas
Permite la densidad de potencia y el rendimiento más altos
Rendimiento térmico superior
Posibilidades de diseño optimizadas
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, WHSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 25 V Mejora, WHSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 25 V Mejora, WHSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, PG-WHSON-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, PG-WHSON-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PG-WHSON-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, PG-WHSON-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 25 V Mejora, PG-WHSON-8 de 8 pines
