MOSFET, N-Canal Infineon IQE006NE2LM5CGSCATMA1, VDSS 25 V, ID 310 A, Mejora, TSDSO de 24 pines

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Código RS:
260-1073
Nº ref. fabric.:
IQE006NE2LM5CGSCATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

310A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

25V

Serie

IQE

Encapsulado

TSDSO

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

24

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.75mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

+150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

Los MOSFET de Infineon permiten conectar el potencial de fuente a la PCB a través de la almohadilla térmica, lo que ofrece varias ventajas, como mayor capacidad térmica, densidad de potencia avanzada o posibilidades de diseño mejoradas. También tiene los requisitos de refrigeración activa reducidos y el diseño eficaz para la gestión térmica, que son ventajas a nivel del sistema.

Permite la densidad de potencia y el rendimiento más altos

Rendimiento térmico superior

Posibilidades de diseño optimizadas

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