MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 190 A, TOLG de 8 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 1800 unidades)*

4.611,60 €

(exc. IVA)

5.580,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 22 de septiembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
1800 +2,562 €4.611,60 €

*precio indicativo

Código RS:
260-2673
Nº ref. fabric.:
IPTG039N15NM5ATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

190A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Encapsulado

TOLG

Serie

IPT

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.9mΩ

Tensión directa Vf

0.81V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

319W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

74nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS, IEC 61249-2-21

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Infineon se suministra en el encapsulado con cable TO mejorado con cables Gullwing que tienen una huella compatible con TO sin cable que permite un excelente rendimiento eléctrico. Se trata de la mejor tecnología de su clase con una corriente nominal alta.

Capacidad de alto rendimiento

Alta fiabilidad del sistema

Alta eficiencia y EMI inferior

Aprovechamiento de placa optimizado

Enlaces relacionados