MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPTG039N15NM5ATMA1, VDSS 150 V, ID 190 A, TOLG de 8 pines
- Código RS:
- 260-2674
- Nº ref. fabric.:
- IPTG039N15NM5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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*precio indicativo
- Código RS:
- 260-2674
- Nº ref. fabric.:
- IPTG039N15NM5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 190A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Serie | IPT | |
| Encapsulado | TOLG | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.9mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.81V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 74nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 319W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 190A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Serie IPT | ||
Encapsulado TOLG | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.9mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.81V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 74nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 319W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon se suministra en el encapsulado con cable TO mejorado con cables Gullwing que tienen una huella compatible con TO sin cable que permite un excelente rendimiento eléctrico. Se trata de la mejor tecnología de su clase con una corriente nominal alta.
Capacidad de alto rendimiento
Alta fiabilidad del sistema
Alta eficiencia y EMI inferior
Aprovechamiento de placa optimizado
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