MOSFET, N-Canal Vishay SIR184LDP-T1-RE3, VDSS 60 V, ID 73 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 268-8330
- Nº ref. fabric.:
- SIR184LDP-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
1.353,00 €
(exc. IVA)
1.638,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Últimas existencias de RS
- Última(s) 3000 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,451 € | 1.353,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 268-8330
- Nº ref. fabric.:
- SIR184LDP-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 73A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | SiR | |
| Encapsulado | PowerPAK SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0058Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 62.5W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 32nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 5.15mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 73A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie SiR | ||
Encapsulado PowerPAK SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0058Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 62.5W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 32nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 5.15mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia de generación 4 de canal N TrenchFET de Vishay es un dispositivo sin plomo ni halógenos. Se utiliza en aplicaciones como rectificación síncrona, interruptor de accionamiento de motor, interruptor de batería y carga.
Cifra de mérito muy baja
Conforme con ROHS
Probado por UIS al 100 por ciento
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET Vishay VDSS 60 V PowerPAK SO-8, Mejora de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines