MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIR5710DP-T1-RE3, VDSS 150 V, ID 26.8 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

1.284,00 €

(exc. IVA)

1.554,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 6000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
3000 +0,428 €1.284,00 €

*precio indicativo

Código RS:
268-8334
Nº ref. fabric.:
SIR5710DP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

26.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Encapsulado

PowerPAK SO-8

Serie

SiR

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0315Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

15nC

Disipación de potencia máxima Pd

56.8W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

5.15mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de generación 5 de canal N TrenchFET de Vishay es un dispositivo sin plomo ni halógenos. Se utiliza en aplicaciones como rectificación síncrona, control de accionamiento de motor, fuentes de alimentación.

Cifra de mérito muy baja

Conforme con ROHS

Probado por UIS al 100 por ciento

Enlaces relacionados