MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIR5710DP-T1-RE3, VDSS 150 V, ID 26.8 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
268-8335
Nº ref. fabric.:
SIR5710DP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

26.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Serie

SiR

Encapsulado

PowerPAK SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0315Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

56.8W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

15nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

5.15mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de generación 5 de canal N TrenchFET de Vishay es un dispositivo sin plomo ni halógenos. Se utiliza en aplicaciones como rectificación síncrona, control de accionamiento de motor, fuentes de alimentación.

Cifra de mérito muy baja

Conforme con ROHS

Probado por UIS al 100 por ciento

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