MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiRA54ADP-T1-RE3, VDSS 40 V, ID 128 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines

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Código RS:
268-8336
Nº ref. fabric.:
SiRA54ADP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

128A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

PowerPAK SO-8

Serie

SiRA

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0022Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Disipación de potencia máxima Pd

65.7W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

5.15mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de generación 4 de canal N TrenchFET de Vishay es un dispositivo sin plomo ni halógenos. Se trata de un dispositivo de configuración simple y se utiliza como una aplicación de rectificación síncrona y control de accionamiento de motor.

Conforme con ROHS

Probado por UIS al 100 por ciento

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