MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiRA54ADP-T1-RE3, VDSS 40 V, ID 128 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*

9,48 €

(exc. IVA)

11,47 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 6000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
5 - 451,896 €9,48 €
50 - 951,706 €8,53 €
100 - 2451,376 €6,88 €
250 - 9951,348 €6,74 €
1000 +0,934 €4,67 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
268-8338
Nº ref. fabric.:
SiRA54ADP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

128A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

PowerPAK SO-8

Serie

SiRA

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0022Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

65.7W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

5.15mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de generación 4 de canal N TrenchFET de Vishay es un dispositivo sin plomo ni halógenos. Se trata de un dispositivo de configuración simple y se utiliza como una aplicación de rectificación síncrona y control de accionamiento de motor.

Conforme con ROHS

Probado por UIS al 100 por ciento

Enlaces relacionados