MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIR184LDP-T1-RE3, VDSS 60 V, ID 73 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
268-8331
Nº ref. fabric.:
SIR184LDP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

73A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

SiR

Encapsulado

PowerPAK SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0058Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

32nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

62.5W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

5.15mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de generación 4 de canal N TrenchFET de Vishay es un dispositivo sin plomo ni halógenos. Se utiliza en aplicaciones como rectificación síncrona, interruptor de accionamiento de motor, interruptor de batería y carga.

Cifra de mérito muy baja

Conforme con ROHS

Probado por UIS al 100 por ciento

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