MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPD900P06NMATMA1, VDSS 60 V, ID -16.4 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*

877,50 €

(exc. IVA)

1.062,50 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 19 de mayo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
2500 +0,351 €877,50 €

*precio indicativo

Código RS:
273-3011
Nº ref. fabric.:
IPD900P06NMATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

-16.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

OptiMOS

Encapsulado

PG-TO252-3

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

90mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

63W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

-27nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

DIN IEC 68-1: 55/175/56, RoHS, IEC61249-2-21

Estándar de automoción

No

Los MOSFET de canal P de Infineon en encapsulado DPAK representan la nueva tecnología dirigida a aplicaciones de gestión de baterías, conmutación de carga y protección de polaridad inversa. La principal ventaja de un dispositivo de canal P es la reducción de la complejidad del diseño en medios

Interfaz sencilla a MCU

Conmutación rápida

Resistencia a la avalancha

Enlaces relacionados