MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPD900P06NMATMA1, VDSS 60 V, ID -16.4 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines

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Código RS:
273-3011
Nº ref. fabric.:
IPD900P06NMATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

-16.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

OptiMOS

Encapsulado

PG-TO252-3

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

90mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

63W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

-27nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

DIN IEC 68-1: 55/175/56, RoHS, IEC61249-2-21

Estándar de automoción

No

Los MOSFET de canal P de Infineon en encapsulado DPAK representan la nueva tecnología dirigida a aplicaciones de gestión de baterías, conmutación de carga y protección de polaridad inversa. La principal ventaja de un dispositivo de canal P es la reducción de la complejidad del diseño en medios

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