MOSFET, Tipo P-Canal Infineon SPP18P06PHXKSA1, VDSS 60 V, ID -18.7 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines

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Código RS:
273-7552
Nº ref. fabric.:
SPP18P06PHXKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

-18.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

SPP18P06P-H

Encapsulado

PG-TO252-3

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.13Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.33V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

28nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8 V

Disipación de potencia máxima Pd

81.1W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

Qualified according to AEC Q101, Halogen Free according to IEC61249-2-21, RoHS

Altura

1.5mm

Longitud

40mm

Anchura

40 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de Infineon es un MOSFET de señal pequeña de canal P. Estos productos cumplen constantemente las más altas exigencias de calidad y rendimiento en las especificaciones clave para el diseño de sistemas de alimentación, como la resistencia de estado y las características de mérito. No contiene halógenos de acuerdo con IEC61249 2 21.

Conformidad con RoHS

Valor nominal de avalancha

Modo de mejora

Acabado de cable sin plomo

Calificación conforme a AEC Q101

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