MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SISS5623DN-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 36.3 A, Mejora, 1212-8S de 8 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

2.226,00 €

(exc. IVA)

2.694,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 6000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
3000 +0,742 €2.226,00 €

*precio indicativo

Código RS:
280-0000
Nº ref. fabric.:
SISS5623DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

36.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

1212-8S

Serie

SiSS5623DN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.046Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

56.8W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

10.1nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Vishay es de canal P y el transistor que lleva está fabricado de un material conocido como silicio.

MOSFET de potencia de nueva generación

Probado al 100 % en cuanto a Rg y UIS

Producto RDS x Qg FOM ultrabajo

Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)

Enlaces relacionados