MOSFET Infineon IRL3705NPBF, VDSS 55 V, ID 89 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 540-9991
Nº ref. fabric.:: IRL3705NPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRL3705NPBF, VDSS 55 V, ID 89 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

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Nº ref. fabric.:: IRL3705NPBF
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MOSFET de potencia de canal N de 55V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 89 A, disipación de potencia máxima de 170 W - IRL3705NPBF

Este MOSFET de canal N está diseñado para aplicaciones de alto rendimiento, al tiempo que proporciona una mayor eficiencia y fiabilidad. Gracias a su avanzada tecnología HEXFET, ofrece una resistencia a la conexión mínima y es adecuado para diversas aplicaciones de automatización, electrónica y electricidad. El dispositivo funciona en una amplia gama de temperaturas, lo que garantiza un rendimiento eficaz en diversos entornos.

Características y ventajas

• Bajo Rds(on) de 10mΩ para una mayor eficiencia
• Funciona en modo de mejora para diseños de circuitos innovadores
• Conmutación rápida para mejorar la capacidad de respuesta del sistema
• Totalmente clasificado para avalanchas para una mayor durabilidad en situaciones exigentes

Aplicaciones

• Adecuado para sistemas industriales de gestión de la energía
• Ideal para accionamiento de motores en automatización
• Compatible con fuentes de alimentación que requieren baja resistencia térmica
• Se utiliza en convertidores CC-CC para mejorar la eficiencia energética

¿Cuál es la capacidad máxima de disipación de potencia?

La potencia máxima disipada es de 170 W, lo que facilita una gestión térmica eficaz en condiciones de carga elevada.

¿Es adecuado para altas temperaturas?

Este dispositivo puede funcionar en un rango de temperaturas de -55 °C a +175 °C, lo que lo hace adecuado para una gran variedad de escenarios de altas temperaturas.

¿Qué importancia tiene el intervalo de tensión de umbral de puerta?

La tensión de umbral de puerta oscila entre 1 V y 2 V, lo que resulta esencial para determinar los estados de encendido/apagado a través de diversas tensiones de accionamiento de puerta.

¿Qué consideraciones hay que tener en cuenta para utilizar esto en un circuito?

Asegúrese de que la tensión puerta-fuente no supere los ±16 V para evitar daños y mantener una funcionalidad óptima.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	89 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	55 V
Tipo de Encapsulado	TO-220AB
Serie	HEXFET
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	10 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2V
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	170 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-16 V, +16 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Longitud	10.67mm
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs	98 nC a 5 V
Ancho	4.83mm
Altura	9.02mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Tensión de diodo directa	1.3V