MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 800 V, ID 4.1 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 541-1124P
- Nº ref. fabric.:
- IRFBE30PBF
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal 10 unidades (suministrado en cinta)*
18,60 €
(exc. IVA)
22,50 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 1511 unidad(es) más para enviar a partir del 20 de abril de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 10 - 49 | 1,86 € |
| 50 - 99 | 1,78 € |
| 100 - 249 | 1,68 € |
| 250 + | 1,60 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 541-1124P
- Nº ref. fabric.:
- IRFBE30PBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Serie | IRFBE | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 78nC | |
| Tensión directa Vf | 1.8V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 125W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.41mm | |
| Altura | 9.01mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Serie IRFBE | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 78nC | ||
Tensión directa Vf 1.8V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 125W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.41mm | ||
Altura 9.01mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N, de 600 V a 1000 V, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-220 de 3 pines
