- Código RS:
- 542-9872
- Nº ref. fabric.:
- IRFPE30PBF
- Fabricante:
- Vishay
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Precio Unidad
4,58 €
(exc. IVA)
5,54 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad |
---|---|
1 - 9 | 4,58 € |
10 - 49 | 4,30 € |
50 - 99 | 3,89 € |
100 - 249 | 3,67 € |
250 + | 3,43 € |
- Código RS:
- 542-9872
- Nº ref. fabric.:
- IRFPE30PBF
- Fabricante:
- Vishay
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
MOSFET de canal N, de 600 V a 1000 V, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 4,1 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 800 V |
Tipo de Encapsulado | TO-247AC |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 3 Ω |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
Disipación de Potencia Máxima | 125 W |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
Ancho | 5.31mm |
Longitud | 15.87mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 78 nC a 10 V |
Material del transistor | Si |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
Altura | 20.7mm |
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