MOSFET Tetrode NXP BF1201WR,115, VDSS 10 V, ID 30 mA, CMPAK de 4 pines

Código RS:: 626-2169
Nº ref. fabric.:: BF1201WR,115
Fabricante:: NXP

MOSFET Tetrode NXP BF1201WR,115, VDSS 10 V, ID 30 mA, CMPAK de 4 pines

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Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)

0,157 €

(exc. IVA)

0,19 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
10 - 40	0,157 €	1,57 €
50 - 190	0,153 €	1,53 €
200 - 490	0,149 €	1,49 €
500 - 990	0,145 €	1,45 €
1000 +	0,14 €	1,40 €

*precio indicativo

Código RS:: 626-2169
Nº ref. fabric.:: BF1201WR,115
Fabricante:: NXP

Documentación Técnica

BF1201/R/WR N-channel dual-gate PoLo MOS-FETs Data Sheet

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

MOSFET de canal N, NXP

Nota

NXP es una marca comercial de NXP B.V.

MOSFET Transistors, NXP

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	30 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente	10 V
Tipo de Encapsulado	CMPAK
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	4
Modo de Canal	Mejora
Disipación de Potencia Máxima	200 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente	+6 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Ancho	1.35mm
Número de Elementos por Chip	1
Longitud	2.2mm
Altura	1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-65 °C
Ganancia de Potencia Típica	33,5 dB