MOSFET Tetrode Infineon BF998E6327HTSA1, VDSS 12 V, ID 30 mA, SOT-143 de 4 pines, , config. Simple

Código RS:: 892-2295
Nº ref. fabric.:: BF998E6327HTSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Tetrode Infineon BF998E6327HTSA1, VDSS 12 V, ID 30 mA, SOT-143 de 4 pines, , config. Simple

150 Disponible para entrega en 3 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 50)

0,242 €

(exc. IVA)

0,293 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
50 - 200	0,242 €	12,10 €
250 - 450	0,164 €	8,20 €
500 - 1200	0,152 €	7,60 €
1250 - 2450	0,142 €	7,10 €
2500 +	0,133 €	6,65 €

*precio indicativo

Código RS:: 892-2295
Nº ref. fabric.:: BF998E6327HTSA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Tetrodo MOSFET de doble enlace Infineon

Tetrodo de transistores RF MOSFET de doble enlace y bajo ruido de Infineon

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	30 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente	12 V
Serie	BF998
Tipo de Encapsulado	SOT-143
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	4
Tensión de umbral de puerta máxima	2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	0.8V
Disipación de Potencia Máxima	200 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-2,5 V, -2 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Longitud	2.9mm
Material del transistor	Si
Ancho	1mm
Altura	1.3mm
Ganancia de Potencia Típica	28 dB