MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SUD23N06-31-GE3, VDSS 60 V, ID 23 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 636-5397
- Nº ref. fabric.:
- SUD23N06-31-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 5 unidades)*
6,72 €
(exc. IVA)
8,13 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 4285 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,344 € | 6,72 € |
| 50 - 245 | 1,142 € | 5,71 € |
| 250 - 495 | 0,944 € | 4,72 € |
| 500 - 1245 | 0,886 € | 4,43 € |
| 1250 + | 0,832 € | 4,16 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 636-5397
- Nº ref. fabric.:
- SUD23N06-31-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 23A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | SUD23N06-31 | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 31mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 11nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 31.25W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +150°C | |
| Altura | 2.38mm | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Anchura | 6.22mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 23A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie SUD23N06-31 | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 31mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 11nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 31.25W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +150°C | ||
Altura 2.38mm | ||
Longitud 6.73mm | ||
Anchura 6.22mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET serie SUD23N06-31 de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 60 V, corriente de drenaje continua de 23 A - SUD23N06-31-GE3
Este MOSFET es un transistor de canal N de montaje en superficie diseñado para conmutar y controlar la potencia en sistemas electrónicos. Funciona a tensiones de hasta 60 V y está diseñado para aplicaciones que requieren un manejo de corriente continuo significativo y una disipación de potencia moderada en un encapsulado compacto TO-252.
Características y ventajas:
• Corriente de drenaje continua de 23 A para capacidad de conmutación de alta corriente
• Rds(on) de 31 mΩ para reducir las pérdidas de conducción y mejorar la eficiencia
• Carga de puerta típica de 11 nC para una conmutación más rápida con requisitos de accionamiento más bajos
• Disipación de potencia máxima de 31,25 W para manejar el estrés térmico en condiciones de carga
• Tensión de fuente de puerta máxima de 20 V para una potencia de accionamiento de puerta robusta
• Rango de funcionamiento de -55 °C a +150 °C para una amplia tolerancia ambiental
• Rds(on) de 31 mΩ para reducir las pérdidas de conducción y mejorar la eficiencia
• Carga de puerta típica de 11 nC para una conmutación más rápida con requisitos de accionamiento más bajos
• Disipación de potencia máxima de 31,25 W para manejar el estrés térmico en condiciones de carga
• Tensión de fuente de puerta máxima de 20 V para una potencia de accionamiento de puerta robusta
• Rango de funcionamiento de -55 °C a +150 °C para una amplia tolerancia ambiental
Aplicaciones
• Apto para controladores de motor dc que requieren alta corriente sostenida
• Ideal para etapas de conversión de potencia en automatización industrial
• Se utiliza para conmutación de carga en conjuntos de distribución de potencia
• Puede utilizarse para fuentes de alimentación de modo conmutado en sistemas de control
• Ideal para etapas de conversión de potencia en automatización industrial
• Se utiliza para conmutación de carga en conjuntos de distribución de potencia
• Puede utilizarse para fuentes de alimentación de modo conmutado en sistemas de control
¿Qué estilo de montaje utiliza y cómo afecta a la instalación?
Se suministra en un encapsulado de montaje en superficie TO-252, lo que permite procesos de soldadura automatizados y diseños de PCB compactos.
¿Cómo maneja el dispositivo la gestión térmica en una PCB?
Con una disipación máxima de 31,25 W, requiere un área de cobre o vias térmicas adecuadas para distribuir el calor del encapsulado a la placa.
¿Qué consideraciones sobre el accionamiento de la puerta son necesarias para un funcionamiento fiable?
La unidad de puerta debe permanecer dentro de ±20 V con respecto a la fuente y proporcionar una entrega de carga suficiente para alcanzar la carga de puerta típica de 11 nC para la velocidad de conmutación deseada.
¿Qué límites eléctricos deben observarse durante el diseño?
Asegúrese de que la tensión de drenaje-fuente nunca supere los 60 V y que la corriente de drenaje continua no supere los 23 A en las condiciones de refrigeración previstas.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-252
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-252
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 850 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-252 de 3 pines