MOSFET Infineon IRF1010ZPBF, VDSS 55 V, ID 94 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 650-3690
- Nº ref. fabric.:
- IRF1010ZPBF
- Fabricante:
- Infineon
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Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 5)
1,786 €
(exc. IVA)
2,161 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Pack* |
| 5 - 45 | 1,786 € | 8,93 € |
| 50 - 120 | 1,642 € | 8,21 € |
| 125 - 245 | 1,536 € | 7,68 € |
| 250 - 495 | 1,43 € | 7,15 € |
| 500 + | 1,34 € | 6,70 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 650-3690
- Nº ref. fabric.:
- IRF1010ZPBF
- Fabricante:
- Infineon
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
MOSFET de rectificador síncrono ac-dc y control de motor, Infineon
MOSFET para control del motor
Infineon ofrece una cartera completa de dispositivos MOSFET de canal N y P resistentes para las aplicaciones de control de motor.
MOSFET de rectificador síncrono
Una cartera de dispositivos MOSFET de rectificación síncrona para fuentes de alimentación ac-dc admite la demanda de los clientes de una mayor densidad de potencia, menor tamaño, más portabilidad y sistemas más flexibles.
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 94 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 55 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-220AB |
| Serie | HEXFET |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 8 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
| Disipación de Potencia Máxima | 140 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Material del transistor | Si |
| Longitud | 10.54mm |
| Ancho | 4.69mm |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 63 nC a 10 V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Altura | 8.77mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
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