MOSFET, N-Canal Infineon IRFP4227PBF, VDSS 200 V, ID 65 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 650-4772
- Nº ref. fabric.:
- IRFP4227PBF
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 unidad)*
3,66 €
(exc. IVA)
4,43 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- 3 Envío desde el 22 de octubre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 3,66 € |
| 10 - 24 | 3,47 € |
| 25 - 49 | 3,34 € |
| 50 - 99 | 3,19 € |
| 100 + | 2,96 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 650-4772
- Nº ref. fabric.:
- IRFP4227PBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 65A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 25mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 70nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -30V, +30V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 330W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 5.3mm | |
| Altura | 20.3mm | |
| Longitud | 15.9mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 65A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 25mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 70nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -30V, +30V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 330W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 5.3mm | ||
Altura 20.3mm | ||
Longitud 15.9mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 65 A, disipación de potencia máxima de 330 W - IRFP4227PBF
Este MOSFET funciona como un componente vital en las aplicaciones electrónicas contemporáneas, ofreciendo un control y conmutación fiables para sistemas de alta potencia. Ofrece un rendimiento y una eficiencia robustos, por lo que es adecuado para una gran variedad de tareas industriales, especialmente en entornos en los que son esenciales una alta resistencia térmica y bajas pérdidas por conducción. El diseño en modo de mejora facilita un funcionamiento óptimo en diversas condiciones, por lo que resulta ideal para aplicaciones de automatización, sistemas eléctricos y mecánica.
Características y ventajas
• Proporciona 65 A de corriente de drenaje continua para aplicaciones intensivas
• Funciona eficazmente a una tensión de drenaje-fuente máxima de 200 V
• La baja RDS(on) contribuye a la eficiencia energética durante el uso
• Tolerancia a altas temperaturas de hasta 175°C
• Optimizado para una conmutación rápida con tiempos de subida y bajada mínimos
• Ofrece una excelente capacidad de avalancha repetitiva para mejorar la fiabilidad del sistema
Aplicaciones
• Se utiliza en sistemas de recuperación de energía para mejorar la eficiencia
• Compatible con PDP sustain para un rendimiento eficaz
• Adecuado para circuitos de accionamiento de motores de alta potencia que requieren un control preciso
• Utilizadas en fuentes de alimentación conmutadas en procesos de automatización
• Se utiliza en amplificadores de audio profesionales para una gestión eficaz de la salida
¿Cuál es la corriente máxima que se puede manejar a temperaturas elevadas?
Puede gestionar una corriente de drenaje continua de 46 A a 100 °C, lo que garantiza su funcionalidad en entornos difíciles.
¿Cómo se comporta este componente en condiciones pulsátiles?
La corriente de drenaje pulsada puede alcanzar hasta 130 A, lo que la hace adecuada para aplicaciones transitorias.
¿Cuáles son los requisitos de refrigeración cuando se utiliza este dispositivo?
Tiene una resistencia térmica de 0,45°C/W de la unión a la carcasa, lo que requiere mecanismos eficaces de disipación del calor para un funcionamiento óptimo.
¿Qué tipo de montaje se requiere para la instalación?
La instalación requiere un montaje pasante, adecuado para aplicaciones robustas que necesitan conexiones sólidas.
¿Cómo influye la carga de la puerta en la velocidad de conmutación?
Presenta una carga de puerta total típica de 70nC, lo que permite una conmutación rápida y eficaz, crucial en aplicaciones de alta velocidad.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 200 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 400 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 400 V Mejora, TO-247-4 de 4 pines
- MOSFET de potencia VDSS 1400 V Mejora, TO-247-4 de 4 pines
- MOSFET VDSS 200 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 200 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 200 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 200 V Mejora, TO-247 de 3 pines