MOSFET Infineon IRFP4227PBF, VDSS 200 V, ID 65 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 650-4772
Nº ref. fabric.:: IRFP4227PBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRFP4227PBF, VDSS 200 V, ID 65 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple

22 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio Unidad

3,61 €

(exc. IVA)

4,37 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad
1 - 9	3,61 €
10 - 24	3,42 €
25 - 49	3,28 €
50 - 99	3,14 €
100 +	2,92 €

Código RS:: 650-4772
Nº ref. fabric.:: IRFP4227PBF
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de rectificador síncrono ac-dc y control de motor, Infineon

MOSFET para control del motor

Infineon ofrece una cartera completa de dispositivos MOSFET de canal N y P resistentes para las aplicaciones de control de motor.

MOSFET de rectificador síncrono

Una cartera de dispositivos MOSFET de rectificación síncrona para fuentes de alimentación ac-dc admite la demanda de los clientes de una mayor densidad de potencia, menor tamaño, más portabilidad y sistemas más flexibles.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	65 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	200 V
Tipo de Encapsulado	TO-247AC
Serie	HEXFET
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	25 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	5V
Tensión de umbral de puerta mínima	3V
Disipación de Potencia Máxima	330 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Ancho	5.3mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Material del transistor	Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs	70 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip	1
Longitud	15.9mm
Altura	20.3mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40 °C