Transistor MOSFET Vishay 2N6661-E3, VDSS 90 V, ID 900 mA, TO-205AD de 3 pines

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Código RS:
708-2841
Nº ref. fabric.:
2N6661-E3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

900 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

90 V

Tipo de Encapsulado

TO-205AD

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

4 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.8V

Disipación de Potencia Máxima

6250 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Longitud

9.4mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Número de Elementos por Chip

1

Ancho

8.15mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

6.6mm

MOSFET de canal N, de 60 V a 90 V, Vishay Semiconductor



Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

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