- Código RS:
- 177-9750
- Nº ref. fabric.:
- 2N6661
- Fabricante:
- Microchip
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Añadido
Precio Unidad
14,76 €
(exc. IVA)
17,86 €
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Unidades | Por unidad |
1 + | 14,76 € |
- Código RS:
- 177-9750
- Nº ref. fabric.:
- 2N6661
- Fabricante:
- Microchip
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
2N6661 es un transistor de modo de mejora (normalmente desactivado) que utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio probado. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS. Como es característico en todas las estructuras MOS, este dispositivo no contiene desbordamiento térmico y desconexión secundaria térmicamente inducida. Los FET DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación donde se necesita tensión de umbral muy baja, alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.
Libre de ruptura secundaria
Bajo requisito de potencia de excitación
Fácil conexión en paralelo
Bajo CISS y velocidades de conmutación rápidas
Estabilidad térmica excelente
Diodo de drenador de fuente integral
Alta impedancia de entrada y ganancia alta
Bajo requisito de potencia de excitación
Fácil conexión en paralelo
Bajo CISS y velocidades de conmutación rápidas
Estabilidad térmica excelente
Diodo de drenador de fuente integral
Alta impedancia de entrada y ganancia alta
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 350 mA |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 90 V |
Serie | 2N6661 |
Tipo de Encapsulado | TO-39 |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 5 Ω |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta máxima | 2V |
Tensión de umbral de puerta mínima | 0.8V |
Disipación de Potencia Máxima | 6,25 W |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | 20 V |
Ancho | 9.398 Dia.mm |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Altura | 6.6mm |
Tensión de diodo directa | 1.2V |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
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