MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Microchip 2N6660, VDSS 60 V, ID 410 mA, Mejora, TO-39 de 3 pines

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Código RS:
649-369
Nº ref. fabric.:
2N6660
Fabricante:
Microchip
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Marca

Microchip

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Corriente continua máxima de drenaje ld

410mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

2N6660

Encapsulado

TO-39

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

6.25W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

Lead (Pb)-free/RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
TH
Transistor de Microchip de canal N y modo de mejora (normalmente apagado) que utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puertas de silicio de eficacia probada. Esta combinación produce un dispositivo con la capacidad de gestión de potencia de los transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherentes a los dispositivos MOS. Característico de todas las estructuras MOS, este dispositivo está libre de desbocamiento térmico y avería secundaria inducida térmicamente.

Libre de averías secundarias

Necesidad de accionamiento de baja potencia

Facilidad de paralelismo

CISS bajo y velocidades de conmutación rápidas

Excelente estabilidad térmica

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