MOSFET, N-Canal Microchip, VDSS 90 V, ID 350 mA, Mejora, TO-39 de 3 pines

El MOSFET de canal N de montaje en orificio pasante Microchip Technology es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 90V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 4ohms a una tensión de fuente de compuerta de 10V. Tiene una corriente de drenaje continua de 350mA y una capacidad de disipación de potencia máxima de 6,25 W. El voltaje de conducción mínimo y máximo para este MOSFET es 5V y 10V respectivamente. El MOSFET es un modo de mejora (normalmente desactivado) MOSFET que utiliza una estructura vertical DMOS y un proceso de fabricación de puerta de silicona bien probado. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS. Una característica significativa de todas las estructuras MOS, este dispositivo está libre de un escape térmico y una ruptura secundaria inducida por calor. Este FET vertical DMOS se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una vida larga y productiva sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

• Facilidad de conexión en paralelo

• Amplificadores

• ANSI/ESD S20.20:2014