MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal STP80NF55L-06, VDSS 55 V, ID 80 A, TO-220, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 761-0193P
- Nº ref. fabric.:
- STP80NF55L-06
- Fabricante:
- STMicroelectronics
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 761-0193P
- Nº ref. fabric.:
- STP80NF55L-06
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 80A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | STripFET II | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16, -16V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Anchura | 4.6mm | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Altura | 15.75mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 80A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie STripFET II | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16, -16V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Anchura 4.6mm | ||
Longitud 10.4mm | ||
Altura 15.75mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Canal N STripFETTM II, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFETTM con un amplio rango de tensión de ruptura ofrecen una carga de puerta ultrabaja y una baja resistencia encendida.