MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay Si1308EDL-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 1.5 A, Mejora, SOT-323 de 3 pines

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Código RS:
787-9121
Nº ref. fabric.:
Si1308EDL-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

SOT-323

Serie

Si1308EDL

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.185Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±12 V

Disipación de potencia máxima Pd

0.5W

Tensión directa Vf

0.8V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

1.4nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

Lead (Pb)-Free

Anchura

1.35 mm

Altura

1mm

Longitud

2.2mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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