Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQD40N06-14L_GE3, VDSS 60 V, ID 40 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

Código RS:: 787-9484
Nº ref. fabric.:: SQD40N06-14L_GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQD40N06-14L_GE3, VDSS 60 V, ID 40 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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50 - 120	1,604 €	8,02 €
125 - 245	1,514 €	7,57 €
250 - 495	1,426 €	7,13 €
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Código RS:: 787-9484
Nº ref. fabric.:: SQD40N06-14L_GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	40A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	60V
	Serie	SQ Rugged
	Encapsulado	TO-252
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	29mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	1.2V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	75W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	34nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	±20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	6.73mm
	Altura	2.38mm
	Anchura	6.22 mm
	Estándar de automoción	AEC-Q101

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 40A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V
	Serie SQ Rugged
	Encapsulado TO-252
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 29mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf 1.2V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 75W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 34nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 6.73mm
	Altura 2.38mm
	Anchura 6.22 mm
	Estándar de automoción AEC-Q101

MOSFET de canal N, serie SQ resistente para automoción, Vishay Semiconductor

La serie SQ de MOSFET de Vishay Semiconductor está diseñada para todas las aplicaciones de automoción que requieren resistencia y alta fiabilidad.

Ventajas de los MOSFET serie SQ resistentes

• Certificación AEC-Q101

• Temperatura de unión hasta +175 °C

• Tecnologías TrenchFET® de canal n y p de baja resistencia

• Opciones de encapsulado innovadoras de ahorro de espacio

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Approvals

AEC-Q101