MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 60 V, ID 40 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
919-4255
Nº ref. fabric.:
SQD40N06-14L-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

40A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-252

Serie

SQ Rugged

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

29mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

75W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

34nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6.22 mm

Longitud

6.73mm

Altura

2.38mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de canal N, serie SQ resistente para automoción, Vishay Semiconductor


La serie SQ de MOSFET de Vishay Semiconductor está diseñada para todas las aplicaciones de automoción que requieren resistencia y alta fiabilidad.

Ventajas de los MOSFET serie SQ resistentes


• Certificación AEC-Q101

• Temperatura de unión hasta +175 °C

• Tecnologías TrenchFET® de canal n y p de baja resistencia

• Opciones de encapsulado innovadoras de ahorro de espacio

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Approvals

AEC-Q101

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