MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SI7164DP-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 60 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines

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Código RS:
787-9529
Nº ref. fabric.:
SI7164DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

60A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

Si7164DP

Encapsulado

PowerPAK SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.00625Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

104W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

49.5nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

5.26 mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

6.25mm

Altura

1.12mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, de 60 V a 90 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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