MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHF620S-GE3, VDSS 200 V, ID 5.2 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 815-2629
- Nº ref. fabric.:
- SIHF620S-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 10 unidades)*
11,35 €
(exc. IVA)
13,73 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 04 de septiembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 1,135 € | 11,35 € |
| 100 - 240 | 1,068 € | 10,68 € |
| 250 - 490 | 0,965 € | 9,65 € |
| 500 - 990 | 0,907 € | 9,07 € |
| 1000 + | 0,852 € | 8,52 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 815-2629
- Nº ref. fabric.:
- SIHF620S-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Serie | SiHF620S | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 800mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 14nC | |
| Tensión directa Vf | 1.8V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 50W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 4.83mm | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Serie SiHF620S | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 800mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 14nC | ||
Tensión directa Vf 1.8V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 50W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 4.83mm | ||
Longitud 10.67mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de canal N, de 200 V a 250 V, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 200 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 200 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 200 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 200 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TO-263 de 7 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 1700 V Mejora, TO-263 de 7 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-263 de 3 pines