MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHF840STRL-GE3, VDSS 500 V, ID 8.1 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
815-2657
Nº ref. fabric.:
SIHF840STRL-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

8.1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

500V

Encapsulado

TO-263

Serie

SiHF840S

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

850mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

63nC

Tensión directa Vf

2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.67mm

Anchura

9.65 mm

Altura

4.83mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal N, de 500 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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