MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 500 V, ID 8.1 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Subtotal (1 bobina de 800 unidades)*

1.017,60 €

(exc. IVA)

1.231,20 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 16 de julio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
800 +1,272 €1.017,60 €

*precio indicativo

Código RS:
165-5999
Nº ref. fabric.:
SIHF840STRL-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

8.1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

500V

Serie

SiHF840S

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

850mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

63nC

Tensión directa Vf

2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

4.83mm

Longitud

10.67mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, de 500 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Enlaces relacionados