MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD031N06L3GATMA1, VDSS 60 V, ID 100 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
825-9162
Nº ref. fabric.:
IPD031N06L3GATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-252

Serie

OptiMOS 3

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.2mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

59nC

Disipación de potencia máxima Pd

167W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.73mm

Altura

2.413mm

Anchura

6.22 mm

Estándar de automoción

No

Estado RoHS: No aplica

MOFSET de potencia Infineon OptiMOS™3, 60 a 80 V


Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.

MOSFET de conmutación rápida para SMPS

Tecnología optimizada para convertidores dc/dc

Homologación según JEDEC1) para aplicaciones de destino

Canal N, nivel lógico

Excelente carga de compuerta por producto RDS(on) (FOM)

RDS(on) de muy baja resistencia

Chapado sin plomo

Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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